返回

西部数据推出新款3D NAND iNAND 嵌入式闪存盘

今天,西部数据公司在京举办了一场发布会,宣布推出全新先进的iNAND嵌入式闪存盘 (EFD) ,采用了西部数据的64层3D NAND技术和先进的UFS与e.MMC接口技术。可以为智能手机用户带来更好的使用体验。

两款新品的型号分别是闪迪iNAND8521和iNAND 7550嵌入式闪存盘,两款新品在容量上达到了256GB的高容量,可以为以数据为中心的大量应用加速,包括增强现实(AR)、高分辨率视频捕捉和丰富的社交媒体体验,当然还有新兴的终端人工智能 (AI) 和物联网 (IoT)体验。

西部数据公司 嵌入式及集成解决方案(EIS) 产品市场管理总监-包继红女士

据介绍,iNAND 8521嵌入式闪存盘是专为大量数据的用户需求设计,采用UFS 2.1接口和西部数据新型第五代SmartSLC 技术。相比上一代的iNAND 7232嵌入式闪存而言,新品在速度上也得到了极大的提升,顺序写入速度翻倍,而随机写入更是过去的十倍,用户在玩AR游戏或者下载数据的时候,都可以得到更好体验。

另一款iNAND 7550嵌入式闪存盘则基于e.MMC 5.1规范,是目前西部数据基于广为使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解决方案,可提供高达260 MB/秒的顺序写入性能以及20K IOPS和15K IOPS的随机读/写性能,更有助于同时加快自身和应用启动的速度。

Counterpoint Research智能设备及生态系统研究总监闫占孟先生预计到2018年末,智能手机的平均存储容量将超过60GB,用以支持由设备上人工智能和增强现实所带来的日益增多的丰富多媒体内容和数据驱动体验。将大大推动了产品向先进的3D NAND嵌入式闪存解决方案演进。■

本文编辑:宋阳

享生活•上泡泡

查看全部内容
您可能感兴趣的文章