10月12日消息，在近期三星电子方面宣布，将在2022年上半年进行大规模的3nm工艺产品生产，其进度将领先竞争对手台积电。

　　在10月7日，三星电子(SamsungElectronics)宣布，将于明年上半年开始使用GAA技术生产客户的3纳米(Nm)芯片设计。三星电子公司还表示，2023年将大规模生产第二代3 nm芯片，2025年将大规模生产2 nm芯片。

　　三星电子将利用GAA技术生产3nm芯片，以提高作为半导体电流控制开关的晶体管的性能和效率。与基于FinFET技术的5nm工艺相比，三星的第一个3 nm GAA工艺节点的性能提高了30%，功耗降低了50%，芯片面积减少了35%。该公司计划将第三代GAA技术应用于将于2025年推出的2纳米工艺。

　　台积电计划继续将FinFET技术应用于3 nm工艺，并从2 nm工艺开始引入GAA技术。

　　根据目前数据，三星将成为世界上第一个大规模生产3nm半导体的制造厂，现阶段台积电在2021年第二季度占全球半导体代工制造市场的58%。三星的份额是14%。