在最近于加利福尼亚州圣何塞召开的2024三星晶圆代工论坛博览会上，三星公开了接下来半导体芯片技术发展计划，确认将于2025年起实现2nm芯片的量产，并计划到2027年量产1.4nm工艺。
三星的2nm工艺路线涵盖了多个技术节点，首推SF2，随后将依次推出SF2P、SF2X、SF2A及SF2Z等优化版本，每一步都代表了技术的深化和效能的提升。
特别强调的是，三星的第 一代2nm技术SF2预计将于明年完成所有筹备工作，为其商业化铺平道路。更先进的SF2Z节点将于2027年投入市场使用，该技术整合了创新的后端供电网络(BSPDN)，旨在极大提升能源利用效率。
三星在2nm技术上的突破不仅体现在工艺节点的推进，更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案，相较于传统的FinFET结构，实现了11%至46%的晶体管性能跃升，同时降低了26%的性能波动和大约50%的漏电流。
此外，三星在今年早些时候与Arm达成了战略协作，携手优化基于最前沿GAA晶体管技术的下一代Arm Cortex-X和Cortex-A CPU内核，进一步巩固了三星在半导体技术竞赛中的领先地位。
