晶合集成近期宣布与思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CMOS图像传感器（CIS），为高端单反相机提供了更多选择。这一突破性的图像传感器标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功应用，同时为未来大靶面全画幅和中画幅传感器的发展奠定了基础。
晶合集成在基于自主研发的55纳米工艺平台上，与思特威共同开发了光刻拼接技术，成功解决了像素列拼接精度控制及良率提升的难题。通过这些创新，晶合集成突破了在单个芯片上使用常规光罩的尺寸极限，同时确保了在纳米级制造工艺中，拼接后的芯片仍能保持优异的电学和光学性能。
该1.8亿像素全画幅CIS具备8K 30fps PixGain HDR模式，支持高帧率和超高动态范围，并且兼容不同光学镜头，提高了产品在终端应用中的适配能力。此项技术创新打破了日本索尼在超高像素全画幅CIS领域的长期垄断地位，为市场带来了新的竞争力。
晶合集成成立于2015年5月，由合肥市建设投资控股（集团）有限公司与力晶创新投资控股股份有限公司合资建设。公司专注于半导体晶圆生产代工服务，涵盖显示驱动芯片（DDIC）、微控制器（MCU）、CMOS图像传感器（CIS）、电源管理（PMIC）、逻辑应用（Logic）等平台，广泛应用于消费电子、智能手机、智能家电、安防、工控和车用电子等领域。
